西門子模塊 6ES7288-7DP01-0AA0 西門子模塊 6ES7288-7DP01-0AA0

6ES7288-7DP01-0AA0 SIMATIC S7-200 SMART，ROFIBUSDP 從站模塊，9.6KB 至 12MB， 1 個 PROFIBUS DP/MPI 接口

低壓斷路器

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處于靜電平衡狀態(tài)的導(dǎo)體，其電荷分布有以下特點(diǎn)：

??(1)導(dǎo)體內(nèi)，體電荷密度處處為零，電荷只分布在導(dǎo)體表面上。這個特性由靜電平衡條件和高斯定理很容易證明。由于靜電平衡時導(dǎo)體內(nèi)處處場強(qiáng)E=0，所以府導(dǎo)體內(nèi)任意閉合曲面S所包圍的體積V，高斯定理均給出

??故有p=0，因而導(dǎo)體上的電荷只能分布在它的表面上。

??(2)導(dǎo)體表面上的面電荷密度σ與該處表面外附近的場強(qiáng)E在數(shù)值上成比例，即σ=e。E 在導(dǎo)體表面上任意一點(diǎn)P處取一個這樣的高斯面以與P點(diǎn)處表面平行的導(dǎo)體內(nèi)、外附近兩個小面元△S為底面，側(cè)面垂直于表面的小圓柱面S如圖2.3所示。注意到導(dǎo)體內(nèi)E=0，導(dǎo)體外表面附近的E垂直于表面，由高斯定理得，

??(3)σ=enE只是告訴我們導(dǎo)體表面上每點(diǎn)的電荷密度與其附近場強(qiáng)之間有對應(yīng)關(guān)系，它并不能告訴我們導(dǎo)體表面上電荷究竟怎樣分布，要對導(dǎo)體表面上的電荷分布進(jìn)行定量研究，是一個比較復(fù)雜的問題，它與諸多因素有關(guān)，如周圍物體的分布情況，周圍電荷、電場的分布情況，導(dǎo)體的幾何形狀等，但對孤立帶電導(dǎo)體來說，其表面電荷分布確有如下定性規(guī)律∶孤立導(dǎo)體表面上的面電荷密度σ與所在處表面的曲率有關(guān)，表面凸出而尖銳的地方，也就是表面曲率大的地方，面電荷密度o 大表面平坦即曲率小的地方，面電荷密度σ小表面凹進(jìn)去的地方，即曲率為負(fù)值的地方，面電荷密度σ更小，但面電荷密度σ與表面曲率之間并不存在單一的函數(shù)關(guān)系，

??由于導(dǎo)體附近的場強(qiáng)大小E與面電荷密度o成正比，所以孤立導(dǎo)體外表面附近的場強(qiáng)也有同樣的規(guī)律，即導(dǎo)體jianduan附近場強(qiáng)強(qiáng)，平坦的地方次之，凹進(jìn)去的地方最弱，

??導(dǎo)體jianduan附近的場強(qiáng)特別強(qiáng)，它導(dǎo)致的一個重要結(jié)果是jianduan放電，由于導(dǎo)體jianduan附近的強(qiáng)電場作用，會使空氣中殘留的離子加速運(yùn)動，加速后的離子同其他空氣分子碰撞，使其電離，從而導(dǎo)致大量新離子的產(chǎn)生，使空氣變得易于導(dǎo)電。同時，離子中與jianduan上電荷電性相反的離子不斷被吸引到j(luò)ianduan，與jianduan上的電荷中和，即形成所謂的jianduan放電。jianduan放電時，由于離子同空氣分子碰撞會使分子處于激發(fā)狀態(tài)，從而產(chǎn)生光輻射，形成可以看得見的光暈，叫做電暈。電暈的出現(xiàn)浪費(fèi)電能，因此在高壓輸電中應(yīng)盡量避免。

??jianduan放電的典型應(yīng)用是大家所熟悉的避雷針。通過它使接近地面的帶電云層和地面感應(yīng)電荷之間建立一個導(dǎo)電通路，以持續(xù)不斷地局部通電中和方式避免帶電云層電荷和地面感應(yīng)電荷的大量積累，使帶電云層與地面感應(yīng)電荷間的強(qiáng)烈火花放電即雷擊現(xiàn)象免于發(fā)生。

??

導(dǎo)體jianduan能產(chǎn)生強(qiáng)電場這一現(xiàn)象，在現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中有相當(dāng)廣泛的應(yīng)用。如圖2.4所示的場致發(fā)射顯微鏡示意圖，它是一個抽真空后充入少量氦氣的玻璃泡，內(nèi)部封裝上一根待測其微觀結(jié)構(gòu)的金屬細(xì)針，針尖做得非常細(xì)，其直徑約為1000A。玻璃泡內(nèi)壁上涂有熒光導(dǎo)電透明薄膜，并使其接地。當(dāng)金屬針上加上高壓后，金屬jianduan產(chǎn)生的強(qiáng)電場能使與jianduan碰撞的氦原子中的一個電子被剝?nèi)?，并使剩下的帶正電荷的氦離子沿電場線射向熒光壁，使熒光壁上產(chǎn)生一個光點(diǎn)。落在熒光壁上發(fā)光點(diǎn)處的氦離子，在很高的近似程度上，可看作是發(fā)源于徑向電場線的另一端，這樣，根據(jù)熒光壁上發(fā)光點(diǎn)的位置，可推斷出金屬jianduan的個別

??原子的位置。利用這種裝置，可以從熒光壁上的光點(diǎn)圖樣分析出制成金屬針的金屬樣品的原子排列情況。這種分析金屬微觀結(jié)構(gòu)的裝置叫做場致發(fā)射顯微鏡，它的放大率可高達(dá)200萬倍，比zuihao的電子顯微鏡還高。

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