2024半導(dǎo)體展會丨半導(dǎo)體材料展會丨半導(dǎo)體設(shè)備展會丨2024半導(dǎo)體展會

在目前這個環(huán)境下，半導(dǎo)體發(fā)展的前景是可以得到認(rèn)可的，它是電子信息產(chǎn)業(yè)中不可忽視的一環(huán)，而電子信息產(chǎn)業(yè)正是目前的中心產(chǎn)業(yè)，該產(chǎn)業(yè)的社會整體價值一直在增長，目前，產(chǎn)業(yè)已經(jīng)屬于一個行業(yè)整體發(fā)展中的較高階段之中，未來發(fā)展前景大有可觀。

2024年6月26-28日

深圳國際會展中心

2024年第6屆半導(dǎo)體展會
積極響應(yīng)國家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部、財政部、海關(guān)總署、國家稅務(wù)總局五部門聯(lián)合發(fā)文要求關(guān)于做好享受稅收優(yōu)惠政策的集成電路企業(yè)或項目、軟件企業(yè)清單制定工作的通知。通過促進提升創(chuàng)新能力，推動半導(dǎo)體制造國產(chǎn)化，推進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。根據(jù)10月8日深圳市發(fā)展和改革委員會發(fā)布《深圳市關(guān)于促進半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干措施》稿

SEMI-e 2024深圳國際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展將于2024年6月26-28日，在深圳國際會展中心舉行。由中國通信工業(yè)協(xié)會、深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、廣東省集成電路行業(yè)協(xié)會、聯(lián)合主辦。

全球經(jīng)濟回暖將刺激半導(dǎo)體行業(yè)的高速發(fā)展。面對著社會局勢的快速改變，社會經(jīng)濟的極大進步和互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，云計算，電子商務(wù)等行業(yè)的高速發(fā)展，需要的就是智能產(chǎn)品的支持，在良好的經(jīng)濟環(huán)境下，消費者對于電子產(chǎn)品的要求更高，不僅要求美觀，還要求輕便，功能多樣，而大多數(shù)電子產(chǎn)品都需要用半導(dǎo)體，也就是說，在未來很長一段時間，半導(dǎo)體都將是一個永恒的話題。

中國智能制造業(yè)的崛起和全球半導(dǎo)體電子產(chǎn)業(yè)從垂直結(jié)構(gòu)向水平結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變、價值鏈分工的日益細(xì)化，中國正在成為全球半導(dǎo)體制造的主要生產(chǎn)基地之一，并由此促進了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速成長。為進一步提升半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展，充分展示半導(dǎo)體行業(yè)的前沿裝備技術(shù)，積極推動半導(dǎo)體業(yè)界的交流互動，強化半導(dǎo)體行業(yè)的交流意識、合作意識，實現(xiàn)相互促進、共同發(fā)展，

2024第五屆深圳國際半導(dǎo)體技術(shù)展覽會將于2024年6月26-28日在深圳國際會展中心隆重召開，為半導(dǎo)體行業(yè)搭建全方位展示與交流平臺。

展示范圍
一、電子元器件展區(qū)：無源器件、半導(dǎo)體分立器件/ IGBT 5G核心元器件特種電子、元器件、電源管理、傳感器、儲存器、連接器繼電器、線纜、接插器件、晶振、電阻、電位器磁性元件、濾波元件、PCB板、電機風(fēng)扇電聲器件、顯示器件、二**管、三**管濾波元件、開關(guān)及元器件材料及設(shè)備等
二、IC設(shè)計、芯片展區(qū)：IC及相關(guān)電子產(chǎn)品設(shè)計、人工智能芯片、電源管理芯片、物聯(lián)網(wǎng)芯片、5G通信芯片及方案、汽車電子芯片、安全控制芯片、數(shù)模混合通訊射頻芯片、存儲芯片、LED照明及顯示驅(qū)動類芯片等
三、半導(dǎo)體設(shè)備展區(qū)：減薄機、單晶爐、研磨機、熱處理設(shè)備、光刻機 、刻蝕機、離子注入設(shè)備、CVD/PVD設(shè)備、固晶機、等離子清洗設(shè)備、切割機、裝片機、鍵合機、焊線機、回流焊,波峰焊、測試機、分選機、耦合機、載帶成型機、檢測設(shè)備、恒溫恒濕試驗箱、傳感器、封裝模具、測試治具、精密滑臺、步進電機、閥門、探針臺、潔凈室設(shè)備、水處理等
四、第三代半導(dǎo)體專區(qū)：第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC、氮化鎵GaN、晶圓、襯底、封裝、測試、光電子器件（發(fā)光二**管LED、激光器LD、探測器紫外）、電力電子器件（二**管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD、HEMT等）、微波射頻器件（HEMT、MMIC）
五、晶圓制造及封裝展區(qū)：晶圓制造、SiP先進封裝、OSATs、EMS、OEMs、IDM、硅晶圓及IC封裝載板、印制電路板、封裝基板和設(shè)備及組裝和測試等、封裝設(shè)計、測試、設(shè)備與應(yīng)用制造與封測、EDA、MCU、印制電路板、封裝基板半導(dǎo)體材料與設(shè)備
六、半導(dǎo)體材料展區(qū)：硅晶圓、硅晶片、光刻膠、晶圓膠帶、光掩膜版、電子氣體、CMP拋光材料、光阻材料、濕電子化學(xué)品、濺射靶材、封測材料、切片、磨片、拋光片、薄膜等

組委會努力全方位打造展會宣傳渠道，將高效利用傳統(tǒng)電視媒體、報刊、雜志、網(wǎng)絡(luò)媒體、、微博等新興自媒體，不斷引爆企業(yè)參展熱情。展會官方平臺現(xiàn)在已有龐大粉絲，形成互動、及時分享展會及行業(yè)信息，擴大展會的宣傳及影響力度與深度。

由于SiC的技術(shù)、資金門檻都很高，且目前單晶生長緩慢、品質(zhì)不夠穩(wěn)定，導(dǎo)致生產(chǎn)出的SiC晶圓良率不高、成本相對高，新入局的SiC晶圓廠商普遍處于虧損狀態(tài)。

 　美國、日本、歐洲在SiC領(lǐng)域起步早，6英寸碳化硅襯底已經(jīng)量產(chǎn)，8英寸已研制成功，僅Cree一家便占據(jù)了SiC襯底市場約40％份額。

　　據(jù)業(yè)內(nèi)人士表示，國內(nèi)SiC襯底廠商主要天科合達、河北同光、山東天岳、中科節(jié)能等，產(chǎn)品以4英寸為主，6英寸尚處在攻關(guān)階段，質(zhì)量相對薄弱。在外延方面，國內(nèi)廠商主要有東莞天域、瀚天天成等，部分公司已能提供4、6英寸碳化硅外延片，針對1700V及以下的器件用的外延片已比較成熟，但對于高質(zhì)量厚外延的量產(chǎn)技術(shù)主要還是國外的Cree、昭和電工等少數(shù)企業(yè)具備。