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艾諾斯華達蓄電池NP120-12 12V120AH規(guī)格及參數(shù)說明

品牌: 艾諾斯華達蓄電池
適用范圍: ups/直流屏蓄電池
電池類型: 閥控式密封鉛酸蓄電池
單價: 面議
發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 天內(nèi)發(fā)貨
所在地: 直轄市 北京
有效期至: 長期有效
發(fā)布時間: 2023-12-10 04:50
最后更新: 2023-12-10 04:50
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艾諾斯華達蓄電池NPV120AH規(guī)格及參數(shù)說明

艾諾斯華達蓄電池NPV120AH規(guī)格及參數(shù)說明

產(chǎn)品特點 :

 

■免維護:

 

·采用獨特的氣體再化合技術(GAS RECOMBINATION),不必定期補液維護,減少用戶使用的后顧之憂。

 

■安全可靠性高:

 

·采用全自動的安全閥(VRLA),能防止氣體被吸入蓄電池影響其性能,同時也可防止因充電等所產(chǎn)生的氣體造成內(nèi)壓異常而損壞蓄電池。全密閉蓄電池在正常浮充下不會有電解液及酸霧排出。同時,采用自主技術的蓄電池托盤與蓄電池配套使用,確保蓄電池組使用更加安全。

 

■使用壽命長:

 

·在20℃環(huán)境下,小型密封電池浮充壽命可達3~5年,F(xiàn)M固定型密封電池浮充壽命可達8~10年,F(xiàn)ML系列電池浮充壽命可達10年,F(xiàn)MH系列電池浮充壽命可達10年,GFM系列電池浮充壽命可達15年。

 

■自放電率低:

 

·采用特種鉛鈣多元合金,對隔板、電解液及各生產(chǎn)工序的雜質(zhì)進行嚴格控制,在20℃的環(huán)境下,KOKO蓄電池在6個月內(nèi)不必補充電能即可正常使用。

 

■導電能力強

 

·采用銅芯鍍銀端子及特別設計,保證電氣性能。

 

■適應環(huán)境能力強:

 

·可在-20℃~+50℃的環(huán)境溫度下使用,適用于沙漠、高原性氣候。可用于防暴區(qū)的特殊電源。

 

■方向性強:

 

·特別隔膜(AGM)牢固吸附電解液使之不流動。電池無論立放或臥放均不會泄露,保證了正常使用。

 

■綠色無污染:

 

·靜音、且無污染物排出。蓄電池房無需用耐酸防腐措施,可與電子儀器等設備同置一室。

 

■全新電池具有更長的使用壽命及深循環(huán)特性

 

·采用鉛錫多元特殊正極合金,比傳統(tǒng)的鉛鈣合金耐腐性更強,循環(huán)壽命更優(yōu)越。

 

電池安裝注意事項



1、 因該電池系濕荷電態(tài)出廠,在運輸、安裝過程中,必須小心搬運,防止短路。

2、 由于電池組件的電壓較高,存在危險,因此在裝卸導電連線時,應使用帶絕緣包扎的工具;安裝或搬運電池時,要戴絕緣手套、圍裙和防護眼鏡;電池在搬運過程中,防止碰撞沖擊,不得扭動端柱和安全排氣閥。嚴禁將工具、雜物或其它導電物品放在電池上。

3、 臟污的接線端子或連接不牢均可能引起電池打火,所以要保持接線端子連接處的清潔,并擰緊專用連接電纜(或銅排),使扭矩達到不同連接端子的規(guī)定值。操作時不得對端子產(chǎn)生非緊固所必須的其它應力。

4、 電池之間、電池組之間以及電池組與電源設備之間的連接應合理方便、電壓降盡量小。不同規(guī)格、不同批次、不同廠家的蓄電池不能混用。安裝末端連接件和接通電池系統(tǒng)前,應認真檢查電池系統(tǒng)的總電壓和正、負極性連接是否正確,電池間連接是否牢固。

5、 電池安裝過程中要避免電池短接或接地。蓄電池組與充電器或負載連接時,應將電池組中一個端子導電連線斷開,充電器或負載電路開關應位于“斷開”位置,以防止短路,并保證連接正確,蓄電池的正極與充電器的正極連接,負極與負極連接。

6、 電池外殼不能使用有機溶劑清洗,不能使用二氧化碳滅火器撲滅電池火災,應配備專用干粉滅火器具。

7、 蓄電池是濕荷電態(tài)出廠,安裝使用前請逐只檢查單體電池的開路電壓,正常情況下應不低于2.08V/單體。若低于此值,需補充電后再使用。

8、 電池安裝使用前,請逐只檢查每只電池安全閥是否牢固,若有松動,應立即旋緊。

9、 與單體電池連接的系統(tǒng)可能有高電壓,安裝時應注意避免危險。

艾諾斯華達1

 芯片產(chǎn)業(yè)鏈分為IC設計、IC制造、IC封測三大環(huán)節(jié)?,F(xiàn)在自主技術逐步解決了IC設計,比如龍芯,海光,華為鯤鵬等。在IC制造環(huán)節(jié),近些年來也有長足進步,已經(jīng)擠進了頭部玩家俱樂部,但仍然只是在底部徘徊。具體來說,IC制造領域關鍵的設備是光刻機,目前基本被荷蘭ASML、日本尼康和佳能、中國上海微電子把持。其中,ASML壟斷了高端領域幾乎的市場,其產(chǎn)品高已經(jīng)可以實現(xiàn)2nm制程,中低端市場則屬于日本的尼康和佳能,上海微電子的光刻機目前僅能實現(xiàn)90nm工藝制程,到2021年才能推出28nm制程,差距之大可見一斑。
  
  在IC封測環(huán)節(jié),目前我國的發(fā)展較快,據(jù)相關分析顯示,中國大陸IC封測廠商已可量產(chǎn)系統(tǒng)級封裝(SiP)、扇出型封裝(Fan-out)、覆晶封裝(FlipChip;FC)以及硅穿孔(TSV)等先進封裝技術。除此之外,受惠艾諾斯華達蓄電池NPV120AH規(guī)格及參數(shù)說明于自主可控政策,以及5G等新興應用對電子設備功能更多元、性能更高需求推動,中國的芯片IC封測企業(yè)近年來在技術和營收方面也都出現(xiàn)了可喜的發(fā)展趨勢??陀^來說,中國的自主可控芯片已經(jīng)初具雛形,產(chǎn)業(yè)鏈正在逐步完備。但與美國相比,差距仍然很大。

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