隨著近十年以來智能手機(jī)、智能電視、AI技術(shù)的風(fēng)起云涌,人們對容量更高、速度更快、能耗更低、物理尺寸更小的嵌入式和計算機(jī)存儲器的需求不斷提高,DDR SDRAM也不斷地響應(yīng)市場的需要和技術(shù)的升級推陳出新。
1、DDR標(biāo)準(zhǔn)制定者:JEDEC協(xié)會所有的DDR標(biāo)準(zhǔn)、LPDDR標(biāo)準(zhǔn)、GDDR標(biāo)準(zhǔn),及內(nèi)存模組標(biāo)準(zhǔn)均是由JEDEC下屬的 JC-42 Solid State Memories工作組所開發(fā)。
JEDEC,全稱為“Joint Electron Device Engineering Council”,固態(tài)技術(shù)協(xié)會,為一個全球性的組織。
DDR技術(shù)的發(fā)展:從DDR1到DDR5的演變:電壓更低,速率翻倍,容量翻倍2、DDR接口的基本原理? 內(nèi)核的頻率:100MHz~266MHz,從SDR時代到DDR,再到ZUI新的DDR5;? 數(shù)據(jù)速率的提升是通過I/O接口的架構(gòu)設(shè)計實現(xiàn)的,主要有三個技術(shù):1) 雙邊沿傳輸數(shù)據(jù):這是DDR名稱的來源;2) 預(yù)取技術(shù)(Prefetch): 2bit for DDR, 4bit for DDR2, 8bit for DDR3, 8bit for DDR4, 16bit for DDR5…本質(zhì)上是一個串并轉(zhuǎn)換技術(shù);3) SSTL/POD Signaling: 克服在高速傳輸時的信號完整性的問題。
芯片內(nèi)部的一般架構(gòu):保證數(shù)據(jù)能夠高速從芯片引腳輸出在上述這樣一種芯片架構(gòu)中,為了ZUI大程度的降低DRAM芯片的成本,ZUI節(jié)省成本的方法為:? 對于讀操作,DQS與DQ為邊沿對齊;? 對于寫操作,DQS與DQ為中心對齊。
3、DDR接口信號分類引腳框圖4、信號分類及其拓?fù)溥B接方式不同類的信號,它的拓?fù)溥B接方式不一樣。
5、DDR接口舉例說明:DDR3 DIMM Layout6、DDR接口舉例說明:DDR3 DIMM Layout? 內(nèi)存控制器芯片與DRAM顆粒芯片在同一塊PCB上;? 內(nèi)存通道的總線寬度根據(jù)所選擇的內(nèi)存控制器芯片的不同而不同;? CPU Core并不是直接和內(nèi)存發(fā)生作用,而是通過緩存來和內(nèi)存發(fā)生作用;? Cache Line的大小為64 Byte;也就是說緩存與內(nèi)存相互作用的ZUI小單位為64 Byte。
7、DDR測試解決方案? 計算機(jī)系統(tǒng)采用標(biāo)準(zhǔn)化的DIMM,可以使用多種探測解決方案進(jìn)行探測。
? 嵌入式設(shè)計中的通常直接把DRAM芯片焊接在PCB上,而所有的DDR3顆粒均采用BGA封裝。
JEDEC的規(guī)格定義的測試點為BGA的焊球處。
? 在PCB layout時,就通過過孔在背面預(yù)留有測試點,這樣可以直接點測完全信號的探測;也就是DfT(Design for Test)。
? 當(dāng)使用直接探測時,可以得到很好的信號保真度。
? 但對于PCB正反面都貼有DRAM顆粒,這種方法無能為力。
DDR測試方案一:直接探測DDR3 DIMM + TDP7700 Probe TipsDDR測試方案二:BGA Interposer8、突發(fā)識別的方法? 在分析時,需要自動將讀突發(fā)和寫突發(fā)分離開來獨自進(jìn)行分析? 對于讀寫分離,有若干種方法:1) DQ/DQS phase alignment:基于讀操作和寫操作的DQ/DQS相位對齊關(guān)系的不同,讀操作為邊沿對齊,寫操作為中心對齊。
這種ZUI常用。
2) Visual Trigger:可視觸發(fā),用戶自定義可視觸發(fā)條件,靈活度非常高;3)CS, Latency + DQ/DQS phase alignment:當(dāng)有多個rank時,需要通過CS信號來區(qū)分是哪一個rank進(jìn)行讀寫;4) Logic State + Burst Latency:通過解析命令信號群組(RAS#-CAS#-WE#)來確定讀操作和寫操作。
DDR測試需要提供的資料:DDR測試不僅需要準(zhǔn)備測試樣品,還需要提供產(chǎn)品的線路圖及l(fā)ayout。
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