輸入: | 220v |
電流: | 10A |
電壓: | 2000v |
單價: | 960.00元/臺 |
發(fā)貨期限: | 自買家付款之日起 天內(nèi)發(fā)貨 |
所在地: | 山東 青島 |
有效期至: | 長期有效 |
發(fā)布時間: | 2023-12-15 14:01 |
最后更新: | 2023-12-15 14:01 |
瀏覽次數(shù): | 76 |
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局放測試儀校準裝置規(guī)格齊全CAN總線各節(jié)點質(zhì)量的不一致引發(fā)的系統(tǒng)、錯誤、死機等問題,CAN一致性測試已成為保證CAN網(wǎng)絡安全運行的重要手段,本文將對CAN總線一致性測試中的容錯性測試進行介紹。CAN一致性測試內(nèi)容,覆蓋了物理層、鏈路層、應用層等測試需求,容錯性能的測試主要是在物理層面,通過地線漂移、地線丟失、電源丟失、CAN線中斷、CAN線各短接到地、CAN線各短接到電源、CAN線短路等錯誤狀態(tài)模擬,對被測節(jié)點和系統(tǒng)工作情況、恢復時間進行整體的考察。
HNJF-100局部放電測試儀校驗裝置
在絕緣預防性試驗中,通常使用局部放電測試儀檢電力設(shè)備的局部放電情況。目前電力系統(tǒng)內(nèi)使用的局部放電測試儀型號多種多樣,主要用于脈沖電流法的局部放電量測量。該類測試儀在實際使用中,如果測試不準確可能會導致對誤判進而造成不必要的損失或事故。因此對局部放電測試儀進行定期校驗是十分必要的。為了促使不同廠家型號的該類測試儀向著規(guī)范化發(fā)展,發(fā)布了《DL/T356-2010局部放電測量儀校準規(guī)范》電力行業(yè)標準和《JJF1616-2017脈沖電流法局部放電測試儀校準規(guī)范》,對此類測試儀器性能提出了相應的要求。
我司研制的HNJF-100型局部放電測試儀校驗裝置(以下簡稱校驗裝置)可以針對目前市場上采用脈沖電流法的局部放電測試儀進行校準。
滿足JJF1616-2017脈沖電流法局部放電測試儀校準規(guī)范對標準器的要求
產(chǎn)品特點
Product features
局部放電測試儀校驗裝置(以下簡稱校驗裝置)可以針對目前市場上基于脈沖電流法的局部放電測試儀的截止頻率、線性度、量程刻度一致性、脈沖極性相應、25Hz脈沖響應、測量靈敏度、耦合裝置校驗等測量功能進行校驗。
技術(shù)指標
Technical indicators
使用環(huán)境要求:
溫度:10C~30C相對濕度:<80%(25C)海撥高度:<2500m
電源頻率:50Hz0.5Hz電源電壓:220V5V 機械振動:不可察覺
主要參數(shù):
1.電荷量校準模塊:
1.1電荷量校準范圍0.1pC~100nC;
1.2方波峰值范圍-100V~100V;
1.3波形上升時間:20ns;
1.4電荷量校準精度:2%;
1.5標定電容:10pF、20pF、50pF、100pF、200pF、500pF、1000pF、2000pF、5000pF(程控切換);
2.信號發(fā)生模塊:
2.1正弦信號發(fā)生模塊:
1)頻率幅值:25Hz~1MHz;
2)電壓幅值:0V~10V(峰值);
3)電壓精度誤差:2%;
4)頻率誤差:0.1%;
2.2雙脈沖發(fā)生模塊:
1)雙校準脈沖時延可調(diào)節(jié)范圍:0.1us~250us,精度:0.01us,占空比50%;
2)重復頻率范圍:1Hz~3kHz;
3)上升時間:15ns;
4)輸出阻抗:50Ω;
5)具備計數(shù)脈沖輸出功能。
3.數(shù)據(jù)采集模塊:
3.1模擬帶寬:100MHz;
局放測試儀校準裝置規(guī)格齊全紅外熱像儀可用于通過縝密的圖像判讀識別閃燃產(chǎn)生的條件。但是就目前而言,為即將到來的閃燃做好準備的方法是接受詳細的消防員培訓并仔細觀察環(huán)境。預測融化鋼結(jié)構(gòu)?據(jù)傳言,紅外熱像儀有時能預測鋼開始融化和彎曲的瞬間。這在消防場景下尤其有用,因為工業(yè)建筑大部分是鋼構(gòu)架。然而,即便使用溫度范圍高達+1,1°C的紅外熱像儀仍然難以實現(xiàn),因為事實上鋼的熔點要更高(大約+1,4°C)。FLIRK系列符合消防標準FLIRK系列紅外熱像儀不會顯示超過+65°C的溫差。晶閘管又叫可控硅,是一種在晶體管基礎(chǔ)上發(fā)展起來的大功率半導體器件,主要并廣泛應用于整流、逆變、調(diào)壓及開關(guān)等方面,對可控硅性能進行檢測,對于電控系統(tǒng)的日常維護、保證正常運轉(zhuǎn)具有十分重要的意義??煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種,都是三個電極。單向可控硅有陰極(K)、陽極(A)、控制極(G)。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成,即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連,其引出端稱T2極,其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,其引出端稱T2極,剩下則為控制極。