產(chǎn)品名稱: | Ain on Sapph |
直徑inch: | 2、4 可定制 |
翹曲度: | <30um |
單價(jià): | 1000.00元/片 |
發(fā)貨期限: | 自買家付款之日起 天內(nèi)發(fā)貨 |
所在地: | 福建 廈門 |
有效期至: | 長期有效 |
發(fā)布時(shí)間: | 2024-03-05 21:19 |
最后更新: | 2024-03-05 21:19 |
瀏覽次數(shù): | 114 |
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化合積電采用PVD物理氣相沉積工藝制備出高質(zhì)量的藍(lán)寶石氮化鋁,【0001】取向搖擺曲線(XRC)的測(cè)量結(jié)果<0.05°(180arcsec),并具備以下優(yōu)勢(shì):
?通過改善AIN生長步驟提高產(chǎn)量
?與MOCVD或HVPE生長的AIN相比,高質(zhì)量、大尺寸、低成本,有利于規(guī)?;慨a(chǎn)
?可提供高達(dá)200nm厚度或是200nm以上(可根據(jù)要求提供其他厚度)
產(chǎn)品名稱 | 藍(lán)寶石基氮化鋁(AIN on Sapphire) |
基底材料(Substrate) | 430-440um Sap(002) |
AIN外延厚度(Thinkness) | 50~200nm |
晶面取向(Orientantion) | c-aixs[0001] |
表面粗糙度(nm)(5*5nm) | Rq<1.20nm(200nm) |
XRC(°)(002) | <0.05° |
總厚度變化(TTV) | <7um |
翹曲度(Warp) | <30um |
彎曲度(BoW) | -10~15um |
包裝(Packaging) | 單片/多片晶圓盒 |
直徑(inch) | 2、4......可定制 |