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發(fā)布時(shí)間: | 2024-07-21 10:16 |
最后更新: | 2024-07-21 10:16 |
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光耦作為一個(gè)隔離器件已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用,無(wú)處不在。
一般大家在初次接觸到光耦時(shí)往往感到無(wú)從下手,不知設(shè)計(jì)對(duì)與錯(cuò),隨著遇到越來(lái)越多的問(wèn)題,才會(huì)慢慢有所體會(huì)。
本文就三個(gè)方面對(duì)光耦做討論:光耦工作原理;光耦的 CTR 概念;光耦的延時(shí)。
本討論也有認(rèn)識(shí)上的局限性,但希望能幫助到初次使用光耦的同事。
理解光耦
光耦是隔離傳輸器件,原邊給定信號(hào),副邊回路就會(huì)輸出經(jīng)過(guò)隔離的信號(hào)。
對(duì)于光耦的隔離容易理解,此處不做討論。
以一個(gè)簡(jiǎn)單的圖(圖.1)說(shuō)明光耦的工作:原邊輸入信號(hào) Vin,施加到原邊的發(fā)光二極管和 Ri 上產(chǎn)生光耦的輸入電流 If,If 驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管,使得副邊的光敏三極管導(dǎo)通,回路VCC、RL 產(chǎn)生 Ic,Ic 經(jīng)過(guò) R L 產(chǎn)生 Vout,達(dá)到傳遞信號(hào)的目的。
原邊副邊直接的驅(qū)動(dòng)關(guān)聯(lián)是CTR(電流傳輸比),要滿足 Ic≤If*CTR。
光耦一般會(huì)有兩個(gè)用途:線性光耦和邏輯光耦,如果理解?
工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)的光耦副邊三極管飽和導(dǎo)通,管壓降<0.4V,Vout 約等于 Vcc(Vcc-0.4V左右),Vout 大小只受 Vcc 大小影響。
此時(shí) Ic
工作在線性狀態(tài)的光耦,Ic=If*CTR,副邊三極管壓降的大小等于 Vcc-Ic*R L ,Vout= Ic*R L=(Vin-1.6V)/Ri * CTR*R L ,Vout 大小直接與 Vin 成比例,一般用于反饋環(huán)路里面 (1.6V 是粗略估計(jì),實(shí)際要按器件資料,后續(xù) 1.6V 同) 。
對(duì)于光耦開(kāi)關(guān)和線性狀態(tài)可以類比為普通三極管的飽和放大兩個(gè)狀態(tài)。
所以通過(guò)分析實(shí)際的電路,除去隔離因素,用分析三極管的方法來(lái)分析光耦是一個(gè)很有效的方法。
此方法對(duì)于后續(xù)分析光耦的 CTR 參數(shù),還有延遲參數(shù)都有助于理解。
光耦CTR
概要:1)對(duì)于工作在線性狀態(tài)的光耦要根據(jù)實(shí)際情況分析;2)對(duì)于工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)的光耦要保證光耦導(dǎo)通時(shí) CTR 有一定余量;3)CTR 受多個(gè)因素影響。
2.1 光耦能否可靠導(dǎo)通實(shí)際計(jì)算
舉例分析,例如圖.1 中的光耦電路,假設(shè) Ri = 1k,Ro = 1k,光耦 CTR= 50%,光耦導(dǎo)通時(shí)假設(shè)二極管壓降為 1.6V,副邊三極管飽和導(dǎo)通壓降 Vce=0.4V。
輸入信號(hào) Vi 是 5V 的方波,輸出 Vcc 是 3.3V。
Vout 能得到 3.3V 的方波嗎?
我們來(lái)算算:If = (Vi-1.6V)/Ri = 3.4mA
副邊的電流限制:Ic’≤ CTR*If = 1.7mA
假設(shè)副邊要飽和導(dǎo)通,那么需要 Ic’= (3.3V – 0.4V)/1k = 2.9mA,大于電流通道限制,所以導(dǎo)通時(shí),Ic 會(huì)被光耦限制到 1.7mA, Vout = Ro*1.7mA = 1.7V
所以副邊得到的是 1.7V 的方波。
為什么得不到 3.3V 的方波,可以理解為圖.1 光耦電路的電流驅(qū)動(dòng)能力小,只能驅(qū)動(dòng)1.7mA 的電流,所以光耦會(huì)增大副邊三極管的導(dǎo)通壓降來(lái)限制副邊的電流到 1.7mA。
解決措施:增大 If;增大 CTR;減小 Ic。
對(duì)應(yīng)措施為:減小 Ri 阻值;更換大 CTR 光耦;增大 Ro 阻值。
將上述參數(shù)稍加優(yōu)化,假設(shè)增大 Ri 到 200 歐姆,其他一切條件都不變,Vout 能得到 3.3V的方波嗎?
重新計(jì)算:If = (Vi – 1.6V)/Ri = 17mA;副邊電流限制 Ic’≤ CTR*If = 8.5mA,遠(yuǎn)
大于副邊飽和導(dǎo)通需要的電流(2.9mA),所以實(shí)際 Ic = 2.9mA。
所以,更改 Ri 后,Vout 輸出 3.3V 的方波。
開(kāi)關(guān)狀態(tài)的光耦,實(shí)際計(jì)算時(shí),一般將電路能正常工作需要的最大 Ic 與原邊能提供的最小 If 之間 Ic/If 的比值與光耦的 CTR 參數(shù)做比較,如果 Ic/If ≤CTR,說(shuō)明光耦能可靠導(dǎo)通。
一般會(huì)預(yù)留一點(diǎn)余量(建議小于 CTR 的 90%)。
工作在線性狀態(tài)令當(dāng)別論。
CTR受哪些因素影響
上一節(jié)說(shuō)到設(shè)計(jì)時(shí)要保證一定 CTR 余量。
就是因?yàn)?CTR 的大小受眾多因素影響,這些因素之中既有導(dǎo)致 CTR 只離散的因素(不同光耦),又有與 CTR 有一致性的參數(shù)(殼溫/If)。
1)光耦本身:以 8701 為例,CTR 在 Ta=25℃/If=16mA 時(shí),范圍是(15%~35%)
說(shuō)明 8701 這個(gè)型號(hào)的光耦,不論何時(shí)/何地,任何批次里的一個(gè)樣品,只要在 Ta=25℃/If=16mA 這個(gè)條件下,CTR 是一個(gè)確定的值,都能確定在 15%~35%以內(nèi)。
計(jì)算導(dǎo)通時(shí),要以下限進(jìn)行計(jì)算,并且保證有余量。
計(jì)算關(guān)斷時(shí)要以上限。
2)殼溫影響:
Ta=25℃條件下的 CTR 下限確定了,但往往產(chǎn)品里面溫度范圍比較大,比如光耦會(huì)工作在(-5~75℃)下,此種情況下 CTR 怎么確定?還是看 8701 的手冊(cè):有 Ta-CTR 關(guān)系圖:
從圖中看出,以 25 度的為基準(zhǔn),在其他條件不變的情況下,-5 度下的 CTR 是 25 度下的 0.9 倍左右,75 度下最小與 25 度下的 CTR 持平。
所以在 16mA/(-5~75℃)條件下,8701 的 CTR 最小值是 15%*0.9 = 13.5%
3) 受 If 影響。
假設(shè)如果實(shí)際的 If 是 3.4mA,那么如何確定 CTR 在 If=3.4mA / Ta=(-5~75℃)條件下的最小 CTR 值。
查看 8701 的 If-CTR 曲線。
圖中給出了三條曲線,代表抽取了三個(gè)樣品做測(cè)試得到的If-CTR 曲線,實(shí)際只需要一個(gè)樣品的曲線即可。
注:此圖容易理解為下限/典型/上限三個(gè)曲線,其實(shí)不然。
大部分圖表曲線只是一個(gè)相對(duì)關(guān)系圖,不能圖中讀出juedui的參數(shù)值。
計(jì)算:選用最上面一條樣品曲線,由圖中查出,If=16mA 時(shí) CTR 大概 28%,在 If=3.4mA時(shí) CTR 大概在 46%。
3.4mA 是 16mA 時(shí)的 46%/28% = 1.64 倍;
所以,在 If=3.4mA / (-5~75℃),CTR 下限為 13.5% * 1.64 = 22.2%
以上所有分析都是基于 8701 的,其他光耦的特性曲線需要查用戶手冊(cè),分析方法一樣。
光耦延時(shí)
上述 CTR 影響到信號(hào)能不能傳過(guò)去的問(wèn)題,類似于直流特性。
下面主要分析光耦的延時(shí)特性,即光耦能傳送多快信號(hào)。
涉 及到 兩個(gè)參 數(shù):光耦導(dǎo)通延時(shí) t plh 和 光耦關(guān)斷 延時(shí) t phl ,以 8701 為例 :在If=16mA/Ic=2mA 時(shí)候,關(guān)斷延時(shí)最大 0.8uS,導(dǎo)通延時(shí)最大 1.2uS。
所以用 8701 傳遞 500k以上的開(kāi)關(guān)信號(hào)就需要不能滿足。
下圖是一個(gè)實(shí)測(cè)的延時(shí)波形(ch4 原邊(紅),ch2 副邊(綠))
對(duì)于 t p 參數(shù)的設(shè)計(jì)更應(yīng)該考慮余量,因?yàn)?t p 參數(shù)也受其他因素影響較多。
1) 受溫度影響
8701 的 Ta-If 特征曲線:溫度升高,開(kāi)關(guān)延時(shí)都會(huì)增大。
2) 受原邊 If 大小影響
8701 的 tp-If 特征曲線:If 增大,關(guān)斷延時(shí)減小,開(kāi)通延時(shí)增大
3) 受副邊 Ic 大小影響
8701 的 tp-R L 特征曲線:R L 減小,導(dǎo)通延時(shí)增大明顯
針對(duì)具體電路的特點(diǎn),計(jì)算最大延時(shí)時(shí)也是采用與 CTR 一樣的方法,通過(guò)器件資料給定特定環(huán)境下的準(zhǔn)確范圍,然后逐一通過(guò)三個(gè)曲線確定具體電路下的光耦最大延時(shí)。
同一個(gè)型號(hào)的光耦 CTR/延時(shí)特性是一致的,不同光耦的延時(shí)特性不盡相同,所以需要根據(jù)所用光耦的用戶手冊(cè)來(lái)確定。